Компании Intel и Micron объявили о выпуске флэш чипов NAND с использованием нового высокоскоростного интерфейса, определенного рабочей группой ONFI. Новая память обещает быть более продуктивной: показатели чтения/записи устройств с такой флэш памятью увеличатся в пять раз.

Согласно Micron, высокоскоростная память NAND представлена в образцах SLC 8 Гб, имеются и стековые версии 16 и 32 Гб. Скорость чтения устройств достигает 200 Mб/с, скорость записи — 100 Mб/с, в то время как сегодняшние возможности не превышают 40 и 20 Mб/с.

Micron утверждает, что новые возможности приведут к увеличению скорости работы гибридных жестких дисков в 2-4 раза, скорость передачи видео с цифровой камеры станет выше особенно после внедрения интерфейса USB 3.0.

По сравнению с сегодняшней памятью NAND, новая высокоскоростная память использует двунаправленную распределённую систему контроля качества синхронного источника, масштабируемый интерфейс входа/выхода данных DDR, улучшенную передачу сигнала и емкость разъема.

Массовое производство высокоскоростных флэш NAND запланировано на вторую половину этого года.