Чипы DDR3 имеют емкость 1Гб и произведены по нормам 54-нм техпроцесса. Как заявляет Hynix, в дизайне новых чипов (которые будут устанавливаться на планки в конфигурациях x4 (H5TQ1G43TFR) и x8 (H5TQ1G83TFR)) были произведены инновационные модификации, которые позволили снизить энергопотребление на целых 30% по сравнению с чипами прошлого поколения.

Новый продукт работает на напряжении 1,5 вольта, также как и уже существующие чипы прошлого поколения, при этом, как уже говорилось выше, эффективность работы чипов выросла на треть. Микросхемы памяти второго поколения, как заявляет производитель, имеют высочайшую производительность в мейнстримовой индустрии конкурирующих 1-гигабайтных решений.

Как сообщает iSuppli, фирма, занимающаяся маркетинговыми исследованиями, доля 1Гб DDR3 чипов на мировом рынке на данный момент составляет 87%. iSuppli заявляет также, что чипы большей емкости (2 Гб) в 2011 году займут первые позиции по объему на рынке.

Hynix сообщает о том, что модули на новых чипах нацелены в основном на рынок серверов, датацентров и суперкомпьютеров, энергопотребление в которых является извечной головной болью владельцев. Также новые чипы памяти позволят увеличить срок работы мобильных устройств (ноутбуки, нетбуки, планшеты и т.д.) от батарей.

Новая философия дизайна, примененная в DDR3 чипах второго поколения емкостью 1Гб также будет применяться в будущих микросхемах DRAM, включая чипы DDR3 емкостью 2 Гигабайта, основанные на 40-нм технологическом процессе.

Продукция Hynix вышла в массовое производство уже в этом месяце.