Graphene представляет собой однослойный элемент, состоящий из атомов углерода, который имеет сотовую структуру. При этом двухмерная форма углеродного слоя обладает уникальными электрическими, оптическими, механическими, а также температурными характеристиками, что позволяет электронным устройствам на основе нового материала производить обработку информации и осуществлять ее передачу в 10 раз эффективнее, чем это делают устройства на основе кремния.

Одним из факторов, ограничивающих на сегодняшний день использование нового материала, является сложность его изготовления. Пока что ученым из IBM удалось создать подложку шириной около 2мм, чего, естественно, недостаточно для производства полноценного чипа. Пока что данная проблема решена путем расположения мелких кристаллов graphene в различных ответственных зонах чипа. Таким образом, были получены первые простейшие транзисторы на основе нового материала.

Зато скоростные характеристики, обеспечиваемые новым материалом, впечатляют: сто миллиардов циклов записи в секунду или 100МГц, для сравнения, аналогичный параметр для кремниевых чипов смог составить всего 40МГц. Неоспоримым преимуществом нового материала является и то, что при производственном процессе использовались стандартные методики, характерные для кремниевых материалов, так что старый материал в один прекрасный день может быть просто заменен новым.