Исследования американской компании Freescale Semiconductor над созданием чипов MRAM-памяти завершились с успехом. И уже скоро новые чипы поступят в продажу по $25 за штуку.

MRAM (магниторезистивная память) основана на изменении магнитных свойств материалов и характеризуется: высокой скоростью записи/чтения информации, которая почти вдвое превосходит аналогичный показатель для чипов флэш-памяти — 200 Мбайт/с против 108 Мбайт/с. Кроме того, память полностью энергонезависима, что выгодно отличает MRAM от динамической и статической памяти. Основным преимуществом данной разработки является практически бесконечный срок службы.
Использовать MRAM-память можно в сменных накопителях, однако более интересной является возможность применения в качестве ОЗУ. И тут решающим фактором может сыграть как раз энергонезависимость, ведь по скорости MRAM-память уступает SDRAM.
Не исключено, что в ближайшем будущем скорость чтения/записи информации будет повышена, однако высокая стоимость устройства может стать основной проблемой.
Производством чипов, как ни странно, будет заниматься не Freescale Semiconductor, а сторонние компании. Стоит отметить, что подобные разработки ведут исследователи Toshiba, NEC и IBM, однако лидером является, несомненно, Freescale.