В прошлую пятницу Fujitsu Laboratories сообщили о прорыве в области резистивных ОЗУ или ReRAM. ReRAM это энергонезависимое запоминающее устройство с низким потреблением электроэнергии. Fujitsu прошел через некоторые технологические препятствия, чтобы создать ReRAM, которое бы не теряло в продуктивности из-за конструкторских ограничений, но при этом затраты на цикл стирания сократились до 100 мкА или менее 5 нс.

ReRAM как тип памяти зависит от материала, который при подключении напряжения изменяет сопротивление. Согласно Fujitsu, по размеру ReRAM может очень маленьким, при этом технология производства новшества стоит немного, а значит, станет приемлемой для различных изготовителей.

Открытие новой технологии произошло вследствие добавления титана к оксиду никеля и ограничения подачи электрического тока с транзистора. Колебания, образующиеся с течением времени, меняющие электрическое сопротивление отдельных ячеек и негативно сказывающиеся работе, составляют 10 процентов от того, что было с традиционными ReRAM. Эти доработки снимают прежние технологические барьеры и дают новые перспективы флэш-памяти.