PRAM или память PCM с изменением фазового заряда (Phase Change Memory) – это новый вид энергонезависимой памяти, которая работает в десять раз быстрее чем Flash-память, и потребляет на 30% меньше электроэнергии.

В отличие от технологий, используемых в памяти DRAM или Flash-памяти, PRAM использует тепло, а не электроны, для хранения данных. Технология PRAM построена на использовании специального материала, который по своим свойствам напоминает стекло, и содержит такие элементы, как сера, селен или теллур. Он может находиться как в кристаллизированном, так и в аморфном состоянии. Для перехода от состояния к состоянию используется тепло. При этом материал может изменять заряд атомов в молекулярной решётке. Представляя каждый атом в виде логической единицы или нуля, можно говорить о наличии в кристалле определённых данных.

Помимо Samsung, разработкой памяти на основе PRAM занимаются такие компании, как Intel и STMicroelectronics. Сегодня главной их задачей является уменьшение размеров чипа и увеличение плотности записи, а также увеличение скорости работы кристаллов.

Как заявляют представители компании Samsung, уже ведётся производство чипов PRAM ёмкостью 512Мб по технологии 60нм. Однако точных спецификаций и информации о начале поставок новых чипов пока нет.