Судя по всему в ближайшем будущем нам придется сказать классической оперативной памяти и твердотельным накопителям (SSD) «прощай»… и это «прощай» с сегодняшнего дня значительно приблизилось.

После нескольких лет совместных исследований, Intel и Numonyx заявили о «ключевом прорыве» в разработке памяти на фазовых переходах (PCRAM): тестовый чип объемом 64 Мегабайта показывает возможность «складывать друг на друга или устанавливать рядом друг с другом несколько слоев ячеек PCM, и все это на одном кристалле».

Эд Доллер, главный по флеш-технологиям в Intel, показывает пластину с чипами PCM

Как заявляют представители компаний, память на фазовых переходах имеет «множество преимуществ» перед классической оперативной памятью и флеш-памятью. Как и в случае с RAM, PCM может записывать одиночные биты или байты информации вместо целых блоков, и производит эту работу с очень маленькими задержками. Память PCM энергонезависима, то есть она не обнуляется при отключении питания и не теряет данные при выключении компьютера. Мы напомним, что принципы работы PCRAM основываются на свойствах халькогенидного стекла находится в двух стабильных фазовых состояниях – в аморфной (изолятор) и кристаллической (проводник), образующих тем самым логические «ноль» и «единицу».

Тот прорыв, о котором идет речь, позволит Intel и Numonyx наладить производство значительно более дешевых чипов PCM, чем ожидалось ранее — компании созвали пресс-конференцию и заявили, что цены на новую память будут приблизительно такими же, как и цены на современную флеш-память NAND, на основе которой сегодня изготавливаются твердотельные накопители, новые чипы будут иметь такую же емкость (которая будет со временем увеличиваться, а цены на чипы падать) и отсутствие компромиссов в плане производительности. Две вышеупомянутые фирмы видят в новой технологии «убийцу» всей современной NAND- и DRAM-памяти.

Прорыв по словам Intel и Numonyx заключается в том, что исследователи нашли способ «складывать» слои с ячейками в стек, тем самым увеличивая объем чипа памяти, при этом не уменьшая его скорости. Технология Intel и Numonyx делает возможным соединение ячеек памяти с CMOS-структурами, которые обеспечивают логические функции и преобразование сигналов. Обнуление хранимой в ячейках информации, при демонстрации чипа, заняло всего 9 наносекунд, а сама память не теряет свойств даже после миллиона циклов перезаписи.

Компании ничего не заявляли о времени, требующемся для массового выпуска коммерческого чипа, однако об этом станет ясно на грядущей 9 декабря конференции International Electron Devices Meeting 2009 проходящей в Балтиморе, штат Мериленд, а до тех пор вы можете заняться чтением официального доклада (PDF) о памяти PCM размещенного на сайте Numonyx.

В скором времени станет ясно, будет ли память иметь скорость, превышающую скорость памяти DRAM, и если это подтвердится, то в компьютерах будущего оперативная память вообще исчезнет за ненадобностью – все данные будут храниться на PCM-накопителях. Такой ход дел приведет к очень быстрой загрузке операционной системы и приложений, а также к куче других преимуществ.