Samsung разрабатывает первую память DDR3 на базе 30нм техпроцесса
Автор: mddr, 5 февраля 2010

Новые 30нм чипы DDR3 DRAM обладают уменьшенным на 30% энергопотреблением по сравнению с чипами DRAM на базе 50нм техпроцесса. Тридцатинанометровые чипы объемом 4Гбита (30нм), которые будут использоваться в ноутбуках следующего поколения, будут потреблять всего 3 Ватта в час, что составит всего 3% от общего энергопотребления всего ноутбука.

Samsung 30нм

30нм техпроцесс также увеличит производительность чипов до 60% по сравнению с чипами DDR3, выполненными по технологии 40нм, а стоимость их производства уменьшится в два раза, по сравнению с чипами DRAM, производимыми по 50нм технологии.

Если же вы хотите купить современный телевизор самсунг, то на сайте smg-rus.ru можно узнать цены на бытовую технику и электронику от компании Самсунг.

Комментарии

Добавить комментарий