Новые чипы имеют самую высокую плотность памяти среди им подобных. Они сделаны по 40-нм техпроцессу, а сам 32 ГБ модуль компания разработала для высокопроизводительных серверных систем, которым для эффективной работы необходимы высокие плотность памяти и производительность при малом энергопотреблении.
Если вас интересует внутренняя оптимизация и продвижение сайта, то по адресу krwork.ru можно узнать цены на услуги профессионалов по SMM и SEO.

Напомним, что предыдущие чипы памяти высокой плотности емкостью 2ГБ, созданные по 50-нм техпроцессу для используемых в серверах 16ГБ RDIMM модулей памяти, были презентованы компанией Samsung Electronics в марте 2009 года, после чего стартовал  процесс разработки новых чипов большей плотности.

Для производства модулей памяти на основе чипов памяти с высокой плотностью, компания Samsung будет использовать чипы DDR3 емкостью 4ГБ – на данный момент это чипы самой высокой плотности, при создании которых использован 40 нм техпроцесс. Используя новые 40-нм 4Гб двухслойные чипы оперативной памяти DDR3 в готовых 32ГБ модулях памяти RDIMM затраты на энергопотребление будут такими же, как при использовании чипов 40-нм 16ГБ RIDMM, но с большим показателем производительности.

При условии работы сервера на базе двух процессоров, и при использовании новых модулей памяти от Samsung, теоретический объем оперативной памяти сервера может возрасти до 384 ГБ, что соответствует двукратному увеличению объема памяти. При этом энергопотребление системы будет увеличено всего на 5%.

Отметим, что замена 12-ти модулей динамической памяти DRAM, каждый объемом 16ГБ, на 6 новых 32ГБ модулей увеличит скорость динамической памяти DRAM на 33% — до 1066 Мбит/сек, и снизит энергетические затраты системы на 40%.

Использование 32ГБ модулей для четырехпроцессорных серверов позволит нарастить оперативную память DRAM до 2ТБ, (вместо 1ТБ). Это, по словам представителей Samsung Electronics, и в частности президента подразделения занимающегося разработкой оперативной памяти Су-Ин Чо (Soo-In Cho), станет мощным стимулом к разработке и внедрению новых программных продуктов и приложений. Более того, уже к середине текущего года Samsung планирует освоить более «тонкий» 30-нанометровый техпроцесс.

По информации, полученной от Samsung Electronics, в производство 32ГБ модули памяти RDIMM пойдут уже в апреле 2010.