Компания IMFT работает по принципу повышения плотности NAND памяти вдвое каждые 18 месяцев. Все началось в 2006 году с производства чипов по 50нм техпроцессу, затем, в 2008 компания освоила 40нм технологию, а в начале 2010 года было объявлено о переводе производственных мощностей на 25нм технологию. Сегодня новые микросхемы уже запущены в производство. Что же сулит это нам, простым пользователям?

Если вам нужна аренда юнита в ЦОД, тогдда посмотрите цены этого сайта по адресу linkintel.ru вы сможете заказать услугу colocation и виртуальный офис.

Использование новых микросхем планируется в производстве твердотельных накопителей применяемых в некоторых портативных устройствах. Причем габариты у четырех гигабайтного чипа созданного по 40-нанометровой технологии больше чем у нового, восьми гигабайтного чипа созданного по 25-нанометровой технологии. Кроме того, себестоимость производства 25-нанометровых чипов несколько дешевле, нежели их поле крупных собратьев. Связанно это с тем, что при производстве новики применяется более тонкий техпроцесс. В конечном счете, это приведет к появлению в продаже более емких скоростных и дешевых устройств.

Информации, об основных потребителях новых, 25-нанометровых NAND флэш-чипов пока нет. Однако известно, что компания Intel намерена выпустить к концу 2010 года новый твердотельный накопитель на базе 25-нанометровых чипов, объемом в шестьсот гигабайт.

Радует также момент, что по прогнозам экспертов, в результате перехода большинства производителей на 25-нанометровые чипы NAND, стоимость твердотельных накопителей снизится, соответственно новые устройства с применением новинки, тоже будут дешевле аналогов. Связанно это, как говорилось выше, с удешевлением производства чипов, кроме того, количество необходимых новых чипов NAND, для набора тех же шестисот гигабайт в два раза меньше, чем с применением предшествующих чипов. А в перспективе, производители смогут увеличить емкость памяти изготовляемых устройств в несколько раз, поскольку в тех же объемах можно разместить большее количество 25-нанометровых чипов большей емкости.