Новая память о старом.

В компьютерной технике неравномерно развиваются различные компоненты, то догоняя, то обгоняя друг друга. Сейчас настало время мощного рывка в сфере модулей оперативной памяти, для которых не только найдены новые усовершенствования, но и готовиться переход к новому поколению более эффективных и менее энергозатратных чипов под названием MRAM, работа над которыми уже начата.Развитие модулей оперативной памяти продвигается в последние 5 лет настолько быстро, как то раньше мы наблюдали только у трехмерных ускорителей да у самых передовых процессоров. Так, больше двадцати самых крупных компаний из Японии и Америки, которые специализируются на производстве чипов оперативной памяти не так давно объединили свои усилия ради того, чтобы запустить после разработки в серийное производство самые новые чипы, у которых будет максимально возможно низкое потребление электроэнергии, при том, что сами они будут работать в десять раз быстрее, чем самые быстрые из нынешнего поколения. Сейчас самыми быстрыми считаются чипы DRAM (динамической памяти с произвольным доступом).
Второй в мире по количеству выпускаемой продукции в DRAM-чипах, Micron Technology, а также другие очень известные компании этого сектора, Renesas, Hitachi, Tokyo Electron и другие уже в рамках февраля 2014 года должны отправить лучших экспертов из своих аналитических групп в университет Toxoky (Япония), где эти специалисты возьмутся за разработку оперативной памяти нового поколения.
На данный момент об этой необычайно разработке известно, что она называется MRAM, что означает “магниторезистивная память с произвольным доступом”. На самом деле, как было известно из открытых источников, такой тип оперативной памяти разрабатывался уже довольно давно в университетских программах. До сего дня этот тип памяти находился в тени более активно продвигаемых на рынке флэш-памяти (NAND) и DRAM-памяти, которые массово выпускаются. MRAM-чипы были слишком дороги и не имели популярности. Они до сего дня не интересовали никого, кроме самых узких специалистов.
В чипах типа DRAM для того, чтобы хранить информацию применяются электрические разряды, а не магнитные. MRAM отличается тем, что хранит именно магнитный заряд и в нем накопляет информацию. Таким образом, она будет продолжать сохранять ее даже после отключения питания. Также эта память будет требовать почти втрое меньше энергии для работы, чем DRAM, и продемонстрирует вдесятеро большую скорость работы.
Очевидно, что такая новинка, когда она появиться в виде массового недорогого производства, сразу притянет к себе внимание производителей мобильных девайсов, планшетных компьютеров и смартфонов, ведь в этом секторе вопрос сбережения энергии стоит наиболее остро.
Эксперты отмечают, что это – далеко не единичный случай того, что крупнейшие компании объединяют усилия для того, чтобы создать передовой проект, который обещает большое будущее и большие деньги или даже создание полностью новых рынков. Недавно Toshiba с одной стороны, и Hynix, с другой, объединили силы в разработке другого типа чипов новых поколений. Аналогичными разработками занимались инженеры Samsung. Таким образом, сейчас есть уже, как минимум, три мощнейших центра разработки нового типа памяти, которые развернули настоящую гонку, победитель которой получит целый рынок, если найдет первым эффективный и дешевый способ производства MRAM.
При этом ситуация усугубляется тем, что MRAM-чипы, собственно, уже производятся и продаются. Компания Freescale, подразделение большей компании Eversprin, в нынешнем году заявила, что она является единственным на данный момент в мире поставщиком такого типа чипов, которых она уже выпустила около 10 миллионов. Объем чипов – 4 и 16 Мегабит (т.е. 512Кб и 2 Мб, соответственно).Их покупают для собственной продукции такие гиганты индустрии, как Siemens или Airbus.
Кроме того, существуют и другие разработки, которые решают вопрос энергообеспечения другим путем. Например, Netlist, которая специализируется на том, что разрабатывает типы высокопроизводительной памяти для серверов, выпустила энергонезависимые модули памяти, тоже нового поколения, которые назвала NVvault DDR3. Сейчас доступны модификации модулей по 2 или 4 Гб, которые имеют пропускную способность в 1333 МТ/с, а также могут похвалиться многими другими усовершенствованиями. Главное решение в данном случае заключается в том, что содержимое кэша DRAM передается во флэш-память модуля NAND, используя специальную схему питания модуля, если в сервере что-то тказало или случились перебои с энергией.